193nm、257nm、266nm深紫外光学系统是半导体光刻、晶圆缺陷检测、紫外精密成像的核心载体,波前畸变直接决定光刻精度、成像对比度与设备检测良率。如何进行深紫外光学系统的波像差测量,一直是业界难题,且深紫外系统因工作波段较短,只有在真实工作波长、整机NA工况下完成纳米级波前检测,才能精准拆解各类像差、校准光学系统。
半导体光刻、紫外激光、微纳加工离不开深紫外光学系统,波前畸变直接决定成像良率。传统检测设备环境要求严苛、分辨率不足、调试繁琐。产品基于四波横向剪切干涉技术,无需隔振平台,超高分辨率适配深紫外波段,国产替代进口 SID4,轻松实现工业现场 nm 级波前检测。
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