半导体刻蚀工艺会在晶圆表面形成纳米级沟槽、通孔、光栅等微纳结构，刻蚀深度、侧壁倾角、线宽粗糙度、底部形貌直接决定器件电学性能与良率。传统可见光干涉测量受衍射极限限制，难以精准捕捉极小特征尺寸；FIS4 波前传感器搭配紫外波段光路，利用紫外光更短波长的优势，实现高精度、非接触式微观刻蚀形貌检测，成为半导体刻蚀工艺在线 / 离线表征的核心手段。