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高精密光学元件量产质检:工业环境下的精密器件批量检测
光学元件量产阶段,元件面形、波前误差、表面缺陷的一致性直接决定下游光学整机的性能与良率。实验室级干涉仪往往对环境振动、温湿度敏感,测量速度慢,难以适配工厂产线批量检测节奏。FIS4 波前传感器具备环境鲁棒性强、测量速度快、非接触面域检测的特点,可部署于工业车间环境,完成光学元件出厂前批量波前与面形质检,实
半导体加工
超精密光学加工:加工过程中的面形监控
超精密光学元件(平面、球面、非球面、自由曲面光学镜片)的加工,从研磨、抛光到最终镀膜,面形精度是核心指标。微小的面形误差、局部起伏、边缘塌边都会直接造成光学系统波前畸变,降低成像 / 激光传输质量。传统离线检测方式只能在加工暂停后抽样测量,无法实时反馈加工状态。FIS4 波前传感器可对光学元件加工过程做在线
半导体加工
材料内部晶格分布测量(近红外):利用近红外波段探测材料内部结构
半导体刻蚀工艺会在晶圆表面形成纳米级沟槽、通孔、光栅等微纳结构,刻蚀深度、侧壁倾角、线宽粗糙度、底部形貌直接决定器件电学性能与良率。传统可见光干涉测量受衍射极限限制,难以精准捕捉极小特征尺寸;FIS4 波前传感器搭配紫外波段光路,利用紫外光更短波长的优势,实现高精度、非接触式微观刻蚀形貌检测,成为半导体刻
半导体加工
高能激光器研发:DUV、EUV激光器系统输出波前质量评估
FIS4(FIS4-UV)基于四波横向剪切干涉原理,采用自研随机编码混合光栅,单光路自干涉、免参考镜,专为 190–400nm DUV 波段设计,可实现纳米级波前相位重建,是高能 DUV/EUV 激光研发阶段光束质量诊断、光学系统像差标定、热畸变监测的核心量测设备,解决传统波前检测设备在紫外波段抗振差、分辨率不足、无法在真实工况测量
半导体加工
半导体晶圆制造:晶圆面形与平整度
FIS4 波前传感器通过非接触全场波前测量,获取半导体晶圆全局面形、翘曲与纳米微平整度数据,用于衬底来料检验、CMP 抛光与薄膜应力监控、光刻焦面补偿,从源头管控晶圆形貌误差,保障光刻图案成像质量,是先进硅基及第三代半导体晶圆制造提升良率、实现工艺闭环的核心光学检测设备。
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